德國FESTO電感式行程開關技術詳情

接近開關

1 SMT-8M-A-…, 帶電纜 7

2 SME-8M-…-OE, 帶電纜 15

3 SME-8-FM-…-K-…, 帶電纜 45

CRSMT-8-K-…, 帶電纜, 耐腐蝕 27

4 CRSMT-8M-…, 帶電纜 23

5 SMT-8G-…-OE, 帶電纜 39

6 SME-8M-…-M…, 帶電纜和插頭 15

7 SMT-8-SL-…, 帶插頭 27

SME-8-SL-…, 帶插頭 31

8 SME-8-S-…, 帶電纜和插頭 31

9 SMT-8G-…-M…, 帶電纜和插頭 39

aJ SMTO/SMTSO, 帶插頭 54

SMEO-8E, 帶電纜或插頭 59

aA SDBT-BSW, 抗焊場 48

原理簡介：

當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為

U=K·I·B/d

其中K為霍爾系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度，d是薄片的厚度。

由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。

霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號，同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。

電感式接近開關由三大部分組成：振蕩器、開關電路及放大輸出電路。振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。當金屬目標接近這一磁場，并達到感應距離時，在金屬目標內產(chǎn)生渦流，從而導致振蕩衰減，以至停振。振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉換成開關信號，觸發(fā)驅動控制器件，從而達到非接觸式之檢測目的

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